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產(chǎn)品中心
moreIGBT 基礎(chǔ)
本欄針對IGBT的構(gòu)造與特征、術(shù)語與特性進行說明，并對IGBT相關(guān)技術(shù)理論進行詳細解說、分析，使您能夠借此了解并掌握IGBT的基礎(chǔ)理論以及相關(guān)的知識。- IGBT的構(gòu)造與工作原理詳解
- IGBT是由MOSFET和PNP晶體管復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特性，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特性。
- 整流二極管
- 反向截止電壓
- 晶閘管和整流二極管的設(shè)計選擇
- MiniSKiiP IPM 的驅(qū)動器的額定值
- MiniSKiiP 的IPM（智能集成）
moreIGBT DC-Link
逆變器的直流側(cè)電源，需要通過直流母線與逆變單元連接，這種供電方式稱為DC-Link。本欄主要介紹DC-Link電容器的設(shè)計選型，低雜散電感直流母線設(shè)計，浪涌吸收設(shè)計。- 雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響
- 1 簡介 IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴格按器件損耗特性進行大余量熱設(shè)計以
- IGBT模塊尖峰電壓吸收電路
- IGBT模塊尖峰電壓測量及吸收電容
- IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計
- IGBT模塊吸收回路分析模型
- IGBT無損緩沖吸收電路設(shè)計
moreIGBT 驅(qū)動
IGBT驅(qū)動電路的作用是將控制器輸出的脈沖進行功率放大,以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作。本欄重點介紹IGBT的驅(qū)動原理，驅(qū)動電路及專用集成驅(qū)動器。- IGBT雙脈沖測試方法詳解
- 對比不同的IGBT的參數(shù)；評估驅(qū)動板的功能和性能；獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適。
- IGBT驅(qū)動柵極電壓及功率考慮
- Concept SCALE-2 IGBT模塊驅(qū)動芯
- 二極管的正向恢復效應(yīng)對驅(qū)動器產(chǎn)
- IGBT元件的短路和過電壓保護
- IGBT元件的并聯(lián)注意事項
moreIGBT 散熱
隨著電力電子裝置向小型化和輕量化發(fā)展，更有效的散熱熱技術(shù)成了研究的重點。本欄重點討論IGBT的功耗特性，熱設(shè)計的基本理論及熱設(shè)計的方法和要求。- IGBT模塊損耗、溫度與安全工作區(qū)
- IGBT模塊由IGBT部分和FWD部分構(gòu)成，IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和反并聯(lián)二極管（續(xù)流FWD、整流）芯片的損耗，它們各自發(fā)生的損耗的合計即為IGBT模塊整體發(fā)生的損耗。另外發(fā)
- 3相變頻器的損耗和溫度上升
- 斬波電路IGBT模塊損耗計算
- IGBT模塊的損耗特性
- IGBT模塊的等效熱路模型
- IGBT模塊的散熱設(shè)計
moreIGBT 變流器
本欄針對IGBT應(yīng)用的各種電力電子裝置進行討論，重點深入介紹伺服驅(qū)動、變頻器、電力系統(tǒng)、電能質(zhì)量、新能源等變流器的拓撲及關(guān)鍵技術(shù)。- 500KW光伏逆變器IGBT模塊方案對
- 500KW逆變器，就IGBT模塊而言，根據(jù)逆變器的拓撲有多種選擇，每一種方案都有優(yōu)缺點，總結(jié)起來分為四種，IGBT單個模塊，并聯(lián)，逆變橋并聯(lián)，IPM模塊。 單個模塊方案主要有單
- IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理
- IGBT串聯(lián)諧振式電壓型逆變器的工
- 中頻電源中IGBT工作原理和作用
- 移相全橋ZVS PWM直流變換器存在
- 移相全橋ZVS PWM直流變換器負半
moreIGBT相關(guān)技術(shù)
一個資深的電力電子工程師絕不是只懂得IGBT的應(yīng)用技術(shù)，而是具備扎實的理論基礎(chǔ)和豐富的項目經(jīng)驗，以及電力電子的相關(guān)知識，本欄將針對相關(guān)技術(shù)的技術(shù)進行搜集、整理、分享給大家。- 電力電子電路常見波形及分析
- 電力電子電路的功率輸出級是在大信號條件下工作的電路，由于工作電壓高、傳輸電流大，在電路的設(shè)計中經(jīng)常需要對電路的各部分進行電壓、電流和功率等參數(shù)的計算或估算，這種
- 用于汽車電子保護的瞬態(tài)電壓抑制
- 功率 MOSFET 基礎(chǔ)：了解 MOSFET
- Vishay Siliconix MOSFET 的額定
- 損耗分析是為計算應(yīng)用中的功率因
- Vishay推出了VOR系列混合固態(tài)繼
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